宽带隙半导体材料

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宽禁带半导体材料是室温下禁带宽度大于2.2eV的半导体。主要用于短波长发光器件、紫外光检测和高温、大功率电子器件。氮化镓、碳化硅、六方开云棋牌官网最新版 和氧化锌都是宽禁带半导体材料，由于它们的禁带宽度在3电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件可以在高温下运行，例如碳化硅最高可达600摄氏度；如果将钻石制成半导体，它们的温度会更高，并且可以使用设备来收集钻探石油所需的信息。它们在航空、航天等恶劣环境中也有重要应用。广播电台、电视台，唯一的大功率发射管或电子管，还没有被半导体器件取代。这些电子管寿命只有两三千小时，体积大，耗电大；如果采用碳化硅大功率发射器件，体积至少可以缩小几十到几百倍，使用寿命会大大提高，所以高温宽禁带半导体材料是一种非常重要的新型半导体材料。
六方开云棋牌官网最新版 的宽带隙使其成为良好的绝缘体，保护PEI薄膜在高温下不被介质击穿，这也是其他聚合物电容器失效的原因。当今最好的商业聚合物在176°F以上的工作温度下开始失去效率，但六方开云棋牌官网最新版 涂层PEI可以在392°F有效工作。涂层PEI在55000次充电和放电循环中保持稳定，即使在高温下也是如此。
聚合物太阳能电池以其重量轻、柔韧性好、成本低等独特优势，近10年来受到了世界各国科学家的广泛关注。如何在保持高开路电压的同时拓宽材料的分子吸收，是有机光伏领域的重要研究内容。利用叠层器件结构将两个不同吸收范围的单结电池串联起来，可以同时实现宽吸收光谱和高开路电压，是提高有机太阳能电池效率的有效方法之一。目前，宽禁带聚合物光伏材料种类相对较少，这在一定程度上限制了叠层电池的子电池之间的光谱互补性，进一步限制了效率的提升。
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