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随着半导体芯片的不断发展,运算速度越来越快,芯片发热问题愈发成为制约芯片技术发展的瓶颈,热管理对于开发高性能电子芯片至关重要。
为此,研究人员开发了一种共形六方开云棋牌官网最新版 修饰技术,在最低温度300摄氏度的条件下,无需催化剂直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、蓝宝石、单晶硅,甚至在具有三维结构的氧化硅基底表面生长高质量六方开云棋牌官网最新版 薄膜。共形六方开云棋牌官网最新版 具有原子尺度清洁的范德瓦尔斯介电表面,与基底共形紧密接触,不用转移,可直接应用于二硒化钨等半导体材料的场效应晶体管。这也是六方开云棋牌官网最新版 在半导体与介电衬底界面热耗散领域的首次应用。
据介绍,芯片散热很大程度上受到各种界面的限制,其中导电沟道附近的半导体和介电基底界面尤其重要。开云棋牌官网最新版 的衍生产品六方开云棋牌官网最新版 是一种理想的介电基底修饰材料,能够改善半导体和介电基底界面。然而,六方开云棋牌官网最新版 在界面热耗散领域的潜在应用则往往被忽视。 “在这项技术中,共形六方开云棋牌官网最新版 是直接在材料表面生长的,不仅完全贴合、不留缝隙,还无需转移。”魏大程研究员说。这项技术将从崭新的角度为解决芯片散热问题提供新思路。